Комплект акустики KEF KHT 2005.3 BA

KEF KHT 2005.3 – это гибкий, компактный комплект, который обеспечивает аудиофильское качество пространственного звука по доступной цене.

По сравнению с KHT-2005 дизайн комплекта KHT-2005.3 несколько изменился (это касается в основном сабвуфера). Зарекомендовавшая себя в предыдущей версии округлая форма АС, минимизирует внутренний резонанс и искажения. Однако теперь эти оригинальные акустические системы скрывают в себе обновленные модули Uni-Q, 19-мм металлический твитер, который обеспечивает плоскую АЧХ до 27 кГц, и, следовательно, может работать с новыми цифровыми суперформатами SACD и DVD-Audio. Для того чтобы сделать твитер достаточно маленьким и вписать его в акустический центр НЧ/СЧ-динамика, KEF использует самые современные материалы. Благодаря этому был создан высококачественный точечный источник звука, одновременно обеспечивающий широкую диаграмму направленности. Активный сабвуфер также обновлен: конструкция состоит из двух 250 мм динамиков (активного и пассивного). Мощность его встроенного усилителя составляет 200 Вт, что позволяет 250 мм динамику с длинным ходом диффузора выдавать бас абсолютно без искажений. Новая конструкция корпуса позволяет увеличить уровень баса. Мощный и точный сабвуфер делает звуковую картину более глубокой и яркой и создает рельефное низкочастотное звуковое поле во всем пространстве комнаты. Кроме того, сабвуфер теперь представлен в новом дизайне – отделка тканью внешних боковых стенок и тонированное стекло горизонтальной верхней поверхности (внешняя отделка сабвуфера только черного цвета). Поскольку форма всех пяти АС абсолютно одинакова, каждая из них может быть использована в качестве вертикально ориентированного фронтального или тылового канала, а также горизонтально ориентированного центрального канала. Оригинальная подставка дает широкие возможности в выборе места расположения АС: они могут быть установлены на любой плоской поверхности, закреплены на стене (причем под любым углом) или на фирменных стойках. АС магнитно экранированы и не подвержены взаимному влиянию электронных устройств, расположенных по соседству.